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1、美國MKS臭氧發生器
MKS提供各種臭氧發生器和模塊化輸送系統，可產生超純、可靠的臭氧氣體。在潔凈的半導體環境中，臭氧與各種前體氣體發生反應，生成Al2O3、ZrO2、HfO2和La2O3金屬氧化物，從而實現原子層沉積(ALD)和蝕刻(ALE)等薄膜沉積工藝。MKS的發生器使用6級氣體，能夠產生更高的薄膜密度，從而提高產品產量。光伏和顯示器制造利用半導體最佳實踐，并利用臭氧來增強薄膜屏障，從而提高產品性能和可靠性。SEMOZON®臭氧氣體發生器和子系統是緊湊型、高濃度、超潔凈臭氧氣體發生的行業標準。應用包括原子層沉積(ALD)、原子層蝕刻(ALE)、化學氣相沉積(CVD)和濕法清洗。
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2、美國MKS臭氧發生器
SEMOZON®AX8415是MKS開發的最具創新性和多功能的臭氧發生器。該發生器采用新穎的架構和專利電池設計，可產生超潔凈、高濃度、高流量的臭氧，將氧氣轉化為大于400 g/Nm3的高濃度臭氧，用于半導體、平板顯示器和光伏行業的前沿應用。

3、美國MKS臭氧發生器特點
①5°C 2.5 slm時臭氧濃度高達425 g/Nm3或27.1 wt%
②氧氣流量從2.5 slm到50 slm，可實現工藝靈活性
③專利電池設計可產生高濃度臭氧
④添加或不添加氮氣均可操作
⑤閉環操作可實現更嚴格的過程控制
⑥直接替代MKS SEMOZON AX8407臭氧發生器

4、美國MKS臭氧發生器特征
（1）最高濃度的超潔凈臭氧
SEMOZON AX8415的設計技術是該發生器多功能性的基礎。電子工業將臭氧用于CVD和ALD薄膜的形成、氧化物生長、光刻膠去除和多種清潔應用。AX8415能夠在添加或不添加氮氣作為摻雜氣體的情況下產生最高濃度的超潔凈臭氧，從而支持所有這些應用。如果特定應用需要，去除臭氧形成中使用的微量氮氣可以消除氮氧化物化合物的形成。

（2）直接替換SEMOZON AX8407
SEMOZON AX8415的獨特功能和優勢使其成為行業領先的SEMOZON AX8407臭氧發生器（AX8415的先驅）的直接替代品。AX8415上產生和控制臭氧生成所需的外形尺寸和連接與AX8407完全相同。AX8415的卓越性能可立即適用于所有符合AX8407臭氧發生器資格的應用。

5、美國MKS臭氧發生器規格
①臭氧產量：高達425 g/Nm 3
②流量：2.5-50標準流明
③原料氣：氧氣：6級或更好的O2；氮氣（可選）：100 ppm 5級或更好的N2
④環境溫度：10-40°C(50-104°F)
⑤標稱電池壓力（交付）：15-45 psig(100-310 kPa)
⑥壓力：將過程壓力保持在20-50 psig
⑦控制接口：前面板控制和遠程操作
⑧冷卻水溫度：5-25°C(41-77°F)
⑨冷卻水過濾：100微米
⑩冷卻水質：電阻率≥50kΩ/cm
?最小水流量：9.4升/分鐘（2.5加侖/分鐘）
?電壓要求：208 VAC(±10%)3Ø和GND，無中性線
?頻率：50/60赫茲

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